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晶振根據(jù)頻點(diǎn)、頻差、負(fù)載、有源無(wú)源、封裝、尺寸等多項(xiàng)參數(shù)的差異，可以分為成千上萬(wàn)種，的確令人眼花繚亂。那么，在晶振選型方面，我們首先需要注意什么呢？
第一點(diǎn)：晶振的頻率(Frequency)
如果PCBA上的芯片設(shè)計(jì)方案已經(jīng)確定，則必須選擇與之相配的頻率晶振，否則將導(dǎo)致系統(tǒng)不工作。
第二點(diǎn)：負(fù)載電容(CL)
首先確認(rèn)選擇的是無(wú)源晶振，那么要根據(jù)芯片方案所需晶振負(fù)載參數(shù)，選擇對(duì)應(yīng)負(fù)載電容參數(shù)的晶振。若負(fù)載電容選擇錯(cuò)誤，會(huì)導(dǎo)致晶振輸出頻率嚴(yán)重偏移目標(biāo)頻率，容易造成系統(tǒng)開(kāi)機(jī)不良。
第三點(diǎn)：頻差范圍(Frequency Tolerance)
確認(rèn)電子產(chǎn)品對(duì)晶振輸出頻率精度的要求。晶振的頻差范圍一般在±10PPM~±30PPM。電子產(chǎn)品若對(duì)晶振頻率有高要求，建議選擇±10PPM及以上晶振產(chǎn)品，如藍(lán)牙，WIFI設(shè)備。
第四點(diǎn)：抗電磁干擾性( Anti-EMI)
若電路板上雜散信號(hào)過(guò)多，無(wú)源晶振的頻率穩(wěn)定性會(huì)受到不同程度的非規(guī)律性的干擾。為了避免造成電子產(chǎn)品系統(tǒng)紊亂，建議選擇有源晶振。
第五點(diǎn)：對(duì)功耗的需求 (low-power consumption)
如果晶振應(yīng)用在對(duì)低功耗有較高要求的電子產(chǎn)品，比如需要通過(guò)電池作為電源的智能穿戴，藍(lán)牙耳機(jī)、手機(jī)等，建議選擇小體積、低功耗且精度較高的晶振。
第六點(diǎn)：對(duì)溫度的需求(Temperature)
一般晶振的溫度工作范圍為：-20℃~+70℃，若電子產(chǎn)品需要容忍更加大程度的溫度變化，建議選擇溫度范圍為-40℃~+85℃的寬溫晶振，或?qū)ｉT(mén)定制溫度范圍更寬的晶振產(chǎn)品。溫度變化范圍超出晶振容忍范圍，晶振工作時(shí)容易發(fā)生頻率偏移導(dǎo)致不起振現(xiàn)象，造成電子產(chǎn)品無(wú)法正常工作。
第七點(diǎn)：對(duì)體積及尺寸有要求(Size)
一般情況下，晶振體積越大，功耗也會(huì)越大。如果電子產(chǎn)品對(duì)晶振體積沒(méi)有要求，則可以選擇49S、49SMD系列晶振，該類(lèi)晶振的特點(diǎn)是體積大，價(jià)格相對(duì)低，常用在如電腦主板，電視機(jī)、電話(huà)機(jī)等電子產(chǎn)品上。另外，關(guān)于圓柱體晶振，鑒于在性?xún)r(jià)比方面日漸下降，該類(lèi)產(chǎn)品已經(jīng)呈現(xiàn)快速退出應(yīng)用市場(chǎng)的趨勢(shì)。
第八點(diǎn)：晶振輸出模式(Frequency output mode)
在選用晶振時(shí)，要考慮到電路需要的晶振輸出類(lèi)型，一般分電平輸出和差分輸出兩種類(lèi)型。電平輸出：CMOS是最常用的一種輸出類(lèi)型，而差分輸出：LVPECL和LVDS則屬于常見(jiàn)的差分輸出類(lèi)型。不同的輸出類(lèi)型之間可不隨便變換，特別是差分晶振與普通晶振。
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