無源晶振測量輸出頻率的方法
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無源晶振簡介
無源晶振，準確來說應叫Crystal（晶體），有源晶振則叫Oscillator（振蕩器）。無源晶振是在石英晶片的兩端鍍上電極而成，其兩管腳是無極性的。無源晶振自身無法震蕩，在工作時需要搭配外圍電路。在一定條件下，石英晶片會產生壓電效應：晶片兩端的電場與機械形變會互相轉化。當外加交變電壓的頻率與晶片的固有頻率相等時，晶體產生的振動和電場強度最大，這稱為壓電諧振，類似與LC回路的諧振。
圖1石英晶體的電路符號、等效電路、電抗特性及外圍電路圖
由于晶體為無源器件，其對外圍電路的參數較為敏感，尤其為負載電容。根據晶體的手冊，我們得知測試電路中有推薦電容，此電容對晶體是否起振大有關聯：
Cg、Cg稱作匹配電容，是接在晶振的兩個腳上的對地電容，其作用就是調節負載電容使其與晶振的要求相一致，需要注意的是Cg、Cg串聯后的總電容值（(C_d*C_g)/(C_d+C_g)）才是有效的負載電容部分。
Cic：芯片引腳分布電容以及芯片內部電容。
△C：PCB走線分布電容，經驗值為3至5pF。
在某項目上使用到的一款32.768kHz無源晶振，手冊中負載電容推薦值為12.5pF?？梢姶酥递^為細小，微小的變化足以影響電路特性。
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探頭的影響
探頭，其實跟示波器一樣，都是測量系統的一部分，其正確使用與否很大影響著測試結果。當探頭的探針點擊測量點時，探頭的接入會對被測電路造成影響，這被稱為探頭的負載效應。這種負載效應一般簡化為電阻與電容的并聯。在帶寬500MHz以下的示波器，一般標配是1倍衰減或10倍衰減的無源探頭，某些探頭的衰減比可手動選擇。不同衰減比的探頭在帶寬、輸入電阻、輸入電容上面都有差異：
圖2ZP1025SA1倍、10倍衰減時的參數差異
可見探頭的輸入電容，比晶體手冊的負載電容要大。探頭的介入，必定大大影響到原已參數優化好的電路，從而嚴重影響晶體電路的起振。兩害相權取其輕，測量無源晶振時應優先選用10倍衰減探頭。若10倍衰減探頭的寄生參數還是過大，可以考慮選用有源高壓差分探頭，其負載參數優化得非常小，如Lecroy的ZP1000探頭，輸入阻抗可達0.9pF、1M歐姆。
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選擇合適的測量點
既然晶體兩端非常敏感，不便于接上探頭測量，那可以換一種思路，在其他地方測量該信號。
某些時鐘芯片帶clockout功能，此功能是buffer晶體的信號，其管腳的輸出是有很強大的驅動能力的，因此可以直接使用探頭測量。
晶體發出的時鐘輸入到處理器中，可以使用計時器對此信號作分頻處理，然后將分頻后的信號輸出到管腳。這樣我們只需測量分頻后的信號，即可計算出原有時鐘的頻率。
這種間接測試的方法，只能測試晶體的頻率，不能測量晶體輸出信號的幅度。若能在設備的工況范圍都測試其頻率的準確性，那晶體電路的工作就是OK的。
圖3使用芯片的緩沖功能、計數器功能來測量
若信號驅動能力很強，可以考慮非接觸的測試方案：近場探頭。近場探頭配合頻譜儀，或示波器的FFT分析功能，即可測得峰值電壓處的頻率。由于為非接觸方案，不存在探頭的負載效應，不過需注意此時頻譜儀、FFT分析的頻率分辨率，這會影響測量結果的步進、精度。
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Tip：如何測量頻率
在捕捉到晶體的輸出信號后，該如何測量其頻率呢？在ZLG致遠電子的ZDS系列示波器中，可以選擇硬件頻率計、頻率參數測量、上升沿參數測量等方法。
硬件頻率計在實現時，有測周期與測脈沖數的算法。這兩種不同的測試方法，是會因應輸入信號的頻率大小而選擇的，以期待測量值更準確。當信號頻率小時，會選用測周期的方法，把信號的周期測好了，周期的倒數就是頻率，此方法誤差源在于測周期的計時時鐘的頻率；當信號頻率大時，會選用測脈沖數的方法，在標準時間內測出信號上升沿的個數，此方法的誤差是標準時間內的選定問題。
在參數測量的時間參數中，有“頻率”這測試項。此測試項是求得兩上升沿之間的時間差，再求倒數得到頻率。此測試項的誤差在于上升沿的判定與周期計時頻率，受限于當前采樣點的采樣率。
在參數測量的統計參數中，有“上升沿計數”的方法，其原理是測量上升沿的個數。在測試中，可以將測量范圍選擇光標區域，而光標范圍設為200ms，這樣測得的上升沿乘以5，即為信號頻率。
圖4頻率、上升沿計數測量界面圖
選用信號發生器輸出不同頻率的信號，使用上述三種方法測得頻率如表1所示。
表1不同測量方法測出的頻率對比表
可見三者測量結果差異不大，硬件頻率計的分辨率更高，而參數測量中有效位數只有5位。此信號發生器輸出頻率的準確度為±1ppm，示波器內部晶振的頻率準確度為±2ppm，在上述的24MHz硬件頻率計中，測量的準確度為80Hz/24MHz=3.33ppm，基本在儀器的測量精度內。參數測量值在某些情況下顯得更接近真實值，這是因為其有效位數不夠而四舍五入的原因，準確度更高的還是硬件頻率計。
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